击穿机理明确
该介质窗通过粒子模拟揭示了气体侧击穿由气体电离主导，并发现电子密度峰值不在介质表面而是离面100–150微米处，为控制击穿提供了新理论依据。
Shu, Panpan · 赵朋程
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica 2024
模拟的击穿时间与实验数据一致，说明模型可以定量预测介质窗的击穿行为，省去反复试验。
电子密度峰值出现在离介质表面100–150 μm处，而非表面，这指导了电场设计以避开危险区域。
当气压高于临界气压（约10 Torr）时，电离率随气压单调下降，击穿发展变慢——因此可通过提高气压来抑制击穿。