Tm掺杂SnO薄膜晶体管

双极性对称传输

通过Tm掺杂与氧化铪钝化退火,实现SnO薄膜的平衡空穴与电子迁移率,突破互补逻辑器件的核心材料瓶颈。

Xu, Xinxin · 汤琳 · Xu, Yin · Yu, Song · 李国立 · Raskin, Jean Pierre · Flandre, M. Denis · Zhu, Wei · 刘兴强 · 邹旭明 · 唐黎明 · He, Penghui · 廖蕾

Nano Letters 2025

具体参数

空穴迁移率
30.1 cm²/V·s
电子迁移率
11.8 cm²/V·s
开启电压
约 0 V
互补反相器增益
474.5 V/V