位置完全可控
在图案化Si衬底上应变诱导生长的Ge(Si)纳米线，可在指定位置有序排列，表面平整，适合量子器件的大规模集成。
张建军
Nanoscale 2023
在图案化Si (001)衬底上实现有序Ge hut线阵列
通过调节生长条件获得有序Ge纳米虚线、不连续线和连续线
在平整表面上实现位置可控的Ge纳米线
多层异质外延后表面平整