方阻 4.8 mΩ/sq
将银纳米片富集于表面,同时实现极低方阻与 300% 拉伸,拉伸下电阻变化极小,可直接用于模拟电路。
Xiangwen, Tan · Hongmin, Zhou · Kaixuan, Sun · 元伟 · Hu, Zishou · Wu, Xinzhou · Zunming, Lu · 崔铮 · 苏文明
Composites Part B: Engineering 2025
银纳米片表面富集形成高效导电通路,方阻仅 4.8 mΩ/sq。
拉伸至 300% 时电阻变化极小,可直接用于模拟电路系统。
嵌入的可焊接铜垫解决了与商售刚性元件和集成电路的互连问题。
可与医用敷料层压集成,对皮肤具有强粘附性且透气。