揭示颗粒内部与界面残余应力的分布规律，并通过界面Mg-Si化合物形成共格界面增强性能，为高可靠复合材料设计提供依据。
Jiaqi, Li · 张伟光 · 赵学平 · 郎风超 · 邢永明
Materials and Design 2025
共格界面附近的高位错密度微应变区被证实是界面残余应力的主要贡献者，为调控界面应力提供了明确靶点。
不规则SiC颗粒形状会导致残余应力波动，提示在材料设计中颗粒形态是控制应力分布的关键参数。
Mg-Si金属间化合物与Al基体和SiC形成共格界面，增强界面结合性能，有助于提升复合材料整体力学性能。