ZnO-CuO双助烧ATO陶瓷

高导高致密协同

通过CuO与ZnO协同作用，在无助压烧结下同时实现接近全致密的微观结构和优异的导电性。

Zhu, Linlin · Haotian, Shi · 王玉新 · 董艳春

Journal of the European Ceramic Society 2026

具体参数

相对密度

{'zh': '95', 'en': '95'} %

晶粒尺寸

{'zh': '50', 'en': '50'} μm

载流子迁移率

{'zh': '82.5', 'en': '82.5'} cm²/(V·s)

电阻率

{'zh': '8.38e-4', 'en': '8.38e-4'} Ω·cm

电阻率温度稳定性

{'zh': '7', 'en': '7'} %

技术优势

高致密与高导电兼得

ZnO与CuO协同促烧，使相对密度达到95%的同时维持高载流子迁移率。

宽温域电阻稳定

室温到450℃电阻率变化率低于7%，适用于高温电子器件。

应用场景

• 透明导电靶材：作为溅射靶材，替代ITO用于低成本透明电极。
• 高温电子器件：高温下电阻稳定，用于传感器或加热器。
• 抗静电涂层：低电阻率提供高效静电耗散。
• 柔性透明电极：替代ITO，用于柔性显示和触控。