氮掺杂GST相变光子器件

首现七位非易失存储

通过氮掺杂诱导晶粒细化,在相变材料中实现更渐进的非晶-晶态转变,从而在光子器件中首次实现超过7位的多级存储,容量较现有最佳器件提升近7倍。

Xia, Jian · Tianci, Wang · Zixuan, Wang · Junjie, Gong · Yunxiao, Dong · 杨蕊 · 缪向水

ACS Photonics 2023

具体参数

storage exceeding bits
~222 levels
存储容量较现有最佳器件
约32 级
手写数字识别中准确率
96.5 %