MnSi2Te4范德华反铁磁半导体

Liao, Ke; Yin, Bo; Pan, Yue; Chen, Long; Chen, Liu; Wu, Yan; Gao, Yifan; Yang, Yaling; Wang, Yulong; Wang, Xuhui; Ying-Ying, Li; Guo, Zhongnan; Liu, Junwei; Wang, Jiaou; Su, Dong; Ma, Jie; Wu, Quansheng; Wang, Gang

MnSi2Te4范德华反铁磁半导体

9T下负磁阻−42.5%

一种新型双八面体过渡金属硫属化物，具有层内异质结构和G型反铁磁序，展现出显著的不饱和负磁阻效应，为二维自旋电子器件提供了新平台。

Liao, Ke · Yin, Bo · 潘越 · Chen, Long · Chen, Liu · Wu, Yan · Gao, Yifan · Yang, Yaling · 王余龙 · Wang, Xuhui · Ying-Ying, Li · 郭中楠 · Liu, Junwei · Wang, Jiaou · 苏东 · 马杰 · Wu, Quansheng · 王刚

Journal of the American Chemical Society 2025

技术优势

奈尔温度TN为18.6 K

在9 T和100 K下，不饱和负磁阻达到-42.5%