CuInP₂S₆铁电薄层

纳米畴密度31.4 Gbit/in²

一个通过机械力可逆书写纳米铁电畴的二维材料薄层，为高密度存储提供非破坏性的畴工程方案。

Liu, Heng · Lai, Qinglin · 付俊 · 付召明 · 曾华凌

Nature Communications 2024

具体参数

人工铁电纳米畴横向尺寸

约80 nm

技术优势

在1 μm²面积内实现畴密度31.4 Gbit/in²