析氢过电位仅38mV
通过部分硒化构建的二维异质结,实现强电子相互作用,显著优化氢吸附/脱附。
Hao, Bing · Manyuan, Gan · Jingjing, Guo · Guoshen, Li · 宋艳慧 · Shen, Yongqing · 许并社 · 刘培植 · 郭俊杰
Advanced Functional Materials 2025
电子从PtSe₂转移至PtCo,d带中心下移,优化H*吸附/脱附,仅需38 mV即可驱动10 mA cm⁻²。
Tafel斜率低至22 mV dec⁻¹,表明Heyrovsky步骤为速率决定步,氢析出速率随过电位剧增。
经历1000次循环后性能无明显衰减,归因于异质结界面的化学稳定性。
异质结界面处的强电子相互作用促进电荷转移,克服了PtSe₂原有的电子传输障碍。