−80 °C 超快充放
质子流体预插层调控晶格,实现四电子级超高容量与低温快充,-80 °C 循环 2000 圈不衰减。
Xu, Tiezhu · Tengyu, Yao · Zhenming, Xu · Liu, Zhenhui · Chen, Duo · 朱孔军 · 申来法
Journal of the American Chemical Society 2026
预插层水分子稳定晶格骨架并促进界面质子输运,均相质子化避免局部过电位,-80 °C 下仍保持 194.2 mAh g⁻¹,循环 2000 圈无衰减。
三质子嵌入机制降低反应能垒,质子耦合电子转移超快,500 A g⁻¹ 下可超过 1000 C,大电流充放不牺牲容量。
质子流体共嵌带来非同寻常的三质子反应路径,充分利用钼变价,比容量高达 407 mAh g⁻¹,达到目前报道最高水平。
原位表征证实均相且高度可逆的质子化抑制了结构畸变和副反应,混合电容器在 -80 °C 下循环 2000 圈容量保持率优异。