质子辐照β-Ga₂O₃功率二极管

空间辐照硬化

经5 MeV质子辐照后，器件仍保持近理想肖特基特性，展现优异的抗辐照能力，适用于空间应用。

Qu, Haolan · 黄伟 · Zhang, Yu · Sui, Jin · Ge, Yang · Chen, Jiaxiang · Zhang, Davidwei · Wang, Yuangang · Lv, Yuanjie · 冯志红 · 邹新波

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

技术优势

在300 K下，载流子去除率R_C为7.26 × 10² cm⁻¹

辐照后开启电压V_on和理想因子n几乎保持稳定

动态退化在300 K出现，但在100 K低温下被大大抑制

质子辐照后在低温下观察到更低的低频噪声