MoS₂/CrBr₃磁性异质结

零场谷劈裂

通过磁性邻近效应在单层MoS₂中引入显著塞曼劈裂，为谷电子器件提供可调的自旋-谷耦合平台。

Li, Shaofei · Xing, Xie · Junying, Chen · 张宪 · 何军 · 于国强 · Liu, Zongwen · 刘艳平

Small 2025

参数信息

零场谷劈裂

1.49 meV

中性激子g因子增强因子

2.3

三子g因子增强因子

1.8

技术优势

零场就劈裂

无需外磁场，单层MoS₂就能获得1.49 meV的谷劈裂，简化器件工作条件。

激子电荷态可调

中性激子和三子的g因子增强幅度不同，通过选择激发条件或掺杂可以分别调控。

层数即旋钮

单层响应强、双层响应弱，通过选择MoS₂层数即可调节磁性邻近效应的强度。

应用场景

• 谷电子器件：利用零场劈裂实现无需磁场的谷极化控制，简化谷电子器件设计。
• 自旋-谷耦合：提供增强的自旋-谷耦合，可用于自旋注入和谷自旋操控。
• 二维磁性异质结：为二维磁性异质结的层数和电荷态工程提供设计范例。
• 自旋电子学：通过邻近效应将磁性引入非磁半导体，扩展自旋电子学材料平台。