SiC MOSFET阈值电压迟滞

100 ns 精确评测

一种用于准确评估 SiC MOSFET 在开关应力下由迟滞引起的瞬态可恢复阈值电压漂移的新方法，测试延迟缩短至 100 ns。

理学 · 邓小川 · Jingyu, Huang · 李轩 · 陈万军 · Bo, Zhang

IEEE Transactions on Power Electronics 2024

参数信息

测试延迟

100 ns

正 Vth 漂移低估比例

32 %

负 Vth 漂移低估比例

22 %

开关应力频率

500 kHz

器件额定电压

1200 V

技术优势

延迟极短

通过多级栅驱动模块实现从高频双极开关应力到 Vth 采集的快速切换，测试延迟仅 100 ns，远低于常规方案。

避免低估漂移

在 500 kHz 双极应力下，与 100 ns 延迟相比，1 μs 延迟测得的正、负 Vth 漂移分别被低估超过 32% 和 22%，本方法能避免这种显著低估。

验证于商用器件

已在 1200 V 商用 SiC MOSFET 上实验验证，方法可直接用于工业器件评测。

应用场景

• 功率MOSFET评测：用于精确测量开关应力下 SiC MOSFET 的阈值电压漂移，替代延迟较大的传统评测方案。
• 半导体参数测试：提供 SiC MOSFET 阈值电压迟滞的快速提取方法，支撑半导体参数表征。
• SiC器件可靠性：准确评估迟滞引起的瞬态 Vth 漂移，为 SiC 器件可靠性测试提供关键数据。