Ge/Cd共掺杂ZnSb热电材料

zT达1.08

通过Ge掺杂优化载流子浓度、Cd合金化引入点缺陷散射与声子软化，同时提升功率因子并降低晶格热导率。

Shen, Dongyi · Kwok, Alexander Siu Tai · Wang, Wenxuan · 陈心足 · Chen, Yue

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

参数信息

峰值功率因子提高

约82 %

室温晶格热导率降低

约44 %

Zn Cd

3 Sb0

技术优势

0.6% Ge掺杂实现最佳载流子浓度