最佳占空比辅助PFM控制

全时ZVS减损

在动态开关频率下始终实现零电压开关，同时防止GaN HEMT反向导通，从而显著降低功率损耗。

张德胜 · 陆亮亮 · Wei, Song · 闵闰 · 童乔凌 · 张侨 · 彭晗 · 周克亮

IEEE Transactions on Power Electronics 2023

参数信息

功率损耗降低

35.9 %

技术优势

全变频范围保持ZVS

通过谐振拟合模型动态计算最佳占空比，在开关频率变化时始终在开关节点电压过零瞬间开通功率管，杜绝硬开关损耗。

防反向导通减损

最佳占空比控制防止GaN HEMT在变频过程中反向导通，避免了反向导通带来的额外损耗，进一步降低总功率损失。

输出纹波显著降低

连续功率流控制使变换器在负载变化时维持连续能量传输，从根源上降低输出电压纹波。

应用场景

• 高频电源设计：该控制可在超高频下实现低损耗与低纹波，适用于高性能电源设计。
• 隔离电源模块：为隔离电源模块提供高频率下的稳定ZVS与防反向导通方案。