WSe₂/MoS₂异质双层光电探测器

响应速度提升数倍

通过可编程局域纳米应变工程,实现对二维材料异质结能带的精准调控,从而显著加快光电探测器的响应速度。

Chang, Shunyu · 闫永达 · 李琛 · 耿延泉 · ORecord 科技单元

International Journal of Extreme Manufacturing 2026

具体参数

空间调制平均应变
{'zh': '2.5', 'en': '2.5'} %
局域能带调制幅度
{'zh': '12', 'en': '12'} meV
上升时间下降幅度 (405 nm)
{'zh': '75', 'en': '75'} %
下降时间下降幅度 (405 nm)
{'zh': '87.52', 'en': '87.52'} %
上升时间下降幅度 (532 nm)
{'zh': '66.67', 'en': '66.67'} %
下降时间下降幅度 (532 nm)
{'zh': '80.60', 'en': '80.60'} %

技术优势

应变写入像写字一样可控

通过调节纳米压痕参数,可在指定位置产生固定应变,环形膨胀结构的空间调制平均应变高达2.5%。

响应速度提升数倍

在405 nm光照下,有应变器件的上升时间降低75%、下降时间降低87.52%;在532 nm下也分别降低66.67%和80.60%。

能带调控空间分辨

在环形膨胀结构处实现了最大的能带调制幅度,变化约12 meV,且整个异质双层中三个不同区域的可调程度各不相同。

应用场景