双层NiO/Ga₂O₃异质结二极管

耐压提至2830V

采用双层结终端扩展结构，在提升击穿电压的同时降低导通电阻，显著提升功率品质因数。

Han, Tingting · Wang, Yuangang · Lv, Yuanjie · Dun, Shaobo · Liu, Hongyu · 卜爱民 · 冯志红

Journal of Semiconductors 2023

具体参数

降至

1.34 mΩ·cm²

功率品质因数

5.98 GW/cm²

技术优势

击穿电压从2020提升至2830 V