20.8 nm密集线条
通过分子亲水性调整增强界面粘附与溶解对比度，实现高分辨率纳米图案化。
Siliang, Zhang · Xuewen, Cui · Xue, Cong · Yurui, Wu · 郭旭东 · 胡睿 · 王双青 · 陈金平 · 李嫕 · 杨国强
Chemistry of Materials 2025
TBDMS修饰后光刻胶疏水性增强，对硅片粘附功达58.7 mN/m，显影时可抵抗毛细力破坏，图案不易倒塌。
曝光区残留羟基更少，亲水性降低，曝光与未曝光区在显影液中的溶解对比度增大，有利于形成更精细图案。
得益于粘附和对比度的改善，4-OH-TBDMS光刻胶在电子束光刻中实现20.8 nm密集线条，优于BPA-6-OH。