抗剪切滑移增强
利用界面晶格畸变与化学短程有序，打乱传统位错网络，同时通过钉扎效应提升剪切抗力，为设计高强高熵合金提供新界面。
张嘉城 · Lei, Qian · Yang, Wenqing · Wang, Jian · Yang, Xusheng
Acta Materialia 2025
随机溶质原子和化学短程有序团簇钉扎界面滑移路径，显著提升界面剪切抗力。
界面晶格畸变与化学短程有序破坏了传统双金属系统中周期性失配位错网络的规律性，局部大失配区成为位错形核优先位置。
界面晶格畸变和化学短程有序共同降低平均界面失配度，并导致元素偏析。