复合多台阶结终端4H-SiC SBD

击穿电压 1626 V

在不增加漂移层厚度的情况下,通过优化的四级终端结构实现更高的击穿电压并抑制漏电。

Xinyu, Wang · 李明 · 74386092 · 张彬 · Ge, Lei · Cui, Yingxing Xin · 徐明升 · Yu, Zhong · Yew Cheong, Kuan · 胡小波 · 徐现刚 · 韩吉胜

Results in Physics 2024

具体参数

漂移区厚度
10 μm
终端区角部峰值电场降低
12.6 %

技术优势

在 1200 V 反向电压下漏电流降低且分布均匀