SmOBr准范德华介电层

高介电低滞后

集宽带隙、高击穿场强与低漏电于一体，为二维晶体管提供近乎无滞后的栅介质。

Hong, Wenting · Jiashuai, Yuan · He, Xu · Liu, Yubo · Ju, Qiankun · 蔡倩 · Jian, Chuanyong · 刘伟

ACS Nano 2026

具体参数

带隙

{'zh': '4.63', 'en': ''} eV

击穿场强

{'zh': '>11.9', 'en': '>11.9'} MV·cm⁻¹

亚阈值摆幅

{'zh': '79.5', 'en': ''} mV dec⁻¹

栅极回滞

{'zh': '~4.3', 'en': '~4.3'} mV

技术优势

介电常数 ε ≈ 13.1

漏电流 <10⁻⁶ μA μm⁻²