导通电流提高
用双金属硅化物源漏同时降低电子和空穴的肖特基势垒，无需独立编程栅即可实现非易失双向重构。
刘溪 · Ya, Wang · Wu, Meile · Qi, Lin · Mengmeng, Li · Shouqiang, Zhang · 靳晓诗
IEEE Access 2023
源浮栅和漏浮栅由控制栅直接编程，省去传统编程栅的独立电源，简化了互连复杂度。
双金属硅化物源漏同时降低电子和空穴的肖特基势垒，N型和P型模式的正向电流均较常规BRFET显著改善。
浮栅与控制栅电压的耦合效应使反向偏置时浮栅有效电压降低，从而减小反向漏电流。
该器件可以在缩小至纳米尺度的同时保持高性能，适用于高密度集成。