V⁵⁺掺杂ZnZrTa₂O₈微波陶瓷

烧结降温150 °C

通过V⁵⁺替代Ta⁵⁺，在降低烧结温度的同时协同提升了品质因数与谐振频率温度系数。

Gan, Gongwen · Haiyan, He · Gaojie, Zou · 郑宗良 · Liu, Kui · Yue, Cheng · 苟国庆

Journal of Alloys and Compounds 2026

具体参数

Q×f

{'zh': '125,272', 'en': '125,272'} GHz

τf

{'zh': '−27.65', 'en': '−27.65'} ppm/°C

最佳烧结温度

{'zh': '1225', 'en': '1225'} °C

εr

{'zh': '23.41', 'en': '23.41'}

技术优势

烧结温度骤降150 °C

V⁵⁺替代Ta⁵⁺有效降低了最佳烧结温度，从1375 °C降至1225 °C，大幅节约能耗与制造成本。

Q×f提升13%

在x = 0.04、1250 °C烧结时，Q×f值达到125,272 GHz，较未掺杂样品提高约13%，同时保持εr = 23.41。

温度系数优化

在x = 0.06时，τf优化至−27.65 ppm/°C，逼近零温度系数，提升器件频率稳定性。

应用场景

• 毫米波通信介质谐振器：高Q×f与近零τf确保毫米波谐振器高频选频与温度稳定性。
• 微波基板材料：低介电常数与低损耗满足高频基板对信号完整性的要求。
• 光子集成用低损耗介质：低损耗特性可减少光子集成中微波信号传输的介电损耗。
• 卫星通信天线：温度稳定的低损耗陶瓷保障卫星天线在太空温差下的性能。