氢化硅端接金刚石FET

空穴迁移率恒定

该器件在宽载流子浓度范围内保持恒定空穴迁移率，且具备常开特性，为高性能金刚石微波功率器件提供新可能。

Yuanchen, Ma · He, Qi · 张金风 · Zihui, Zhu · 任泽阳 · 苏凯 · Yu, Xinxin · Qihui, Xu · 张进成 · 74227950

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

参数信息

空穴迁移率

49.1 cm²/(V·s)

阈值电压

2.5 V

最大漏极电流

140.4 mA/mm

最大跨导

22.9 mS/mm

开关比

1e9

技术优势

迁移率不随浓度漂移

在6.7×10¹²至2.2×10¹³ cm⁻²的载流子浓度范围内，空穴迁移率保持49.1 cm²/(V·s)，器件特性稳定。

开关比够大

栅长3.5 μm的器件开关比达到10⁹，有利于信号切换和功率控制。

应用场景

• 金刚石微波功率器件：常开特性与高电流密度适合微波功率放大，可替代传统GaN器件。
• 高压功率器件：金刚石的高击穿场强结合常开模式，适用于高压开关应用。
• 高温电子器件：器件在150 °C仍能工作，可用于高温环境下的电子系统。