离子注入改性SiC晶圆

亚表面损伤更少

经离子注入改性的碳化硅晶圆在纳米切削中展现出更低的次表面损伤和更优的晶格完整性,为原子尺度无损加工奠定了基础。

孔宪光 · 常建涛 · Fang, Xudong · Wu, Chen · 李长生 · Maeda, Ryutaro · 蒋庄德

Nanotechnology 2024

技术优势

亚表面损伤更浅

离子注入改性后,亚表面非晶结构的扩展深度减小,表面和亚表面完整性提高。

位错更少

晶格结构中的位错延伸长度和体积均低于未注入工件。

磨粒磨损更低

金刚石磨粒的膨胀、压缩和原子体积应变磨损率在离子注入工件上均低于未注入工件。

切割应力更小

剪切区域单位体积的相变、压应力和切割应力均低于未注入工件。

应用场景