平面锗纳米线

200°C低温引导生长

一种在200°C低温下通过面内固-液-固机制实现稳定引导生长的平面锗纳米线，突破了液滴与锗前驱体快速混合导致的失稳瓶颈，获得超长且均匀的一维形态。

Song, Xiaopan · 王军转 · Yu, Linwei

Advanced Science 2025

具体参数

长度

{'zh': '10', 'en': ''} µm

直径

{'zh': '约30', 'en': '30'} nm

技术优势

生长温度200 °C