自适应集成离子选择性界面

近能斯特响应，30天灵敏度损耗4.77%

基于CTA调控的MoS₂一步集成转导层与离子选择性膜，对多种阳离子展现高稳定性，解决了传统ISE长期漂移问题。

Cai, Xin · 夏睿 · Chen, Hua · Zi-Hao, Liu · Yong-Huan, Zhao · 王璐 · Zong-Peng, Song · 杨猛 · Li, Pei · 黄行九

Advanced Materials 2025

参数信息

电位漂移

5.51 ± 0.32 µV h⁻¹

灵敏度损耗率

4.77 %

技术优势

一步搞定

利用THF挥发诱导，离子选择性膜在转导层上自动形成单一整体，无需逐层组装，减少界面缺陷。

超低漂移

镉离子选择性电极在24小时内电位漂移仅5.51±0.32 µV h⁻¹，远优于常规固态电极。

长期能用

30天灵敏度损耗率仅4.77%，表明集成界面在持续使用中保持性能，适合需要长期监测的场景。

应用场景

• 生化传感：提供多阳离子近能斯特响应与长期稳定信号，适合连续监测生物流体中的离子浓度。
• 生物传感器：高稳定界面减少漂移，提高酶或免疫传感器中离子背景信号的可靠性。
• 纳米传感：MoS₂纳米材料与CTA调控的集成界面可直接用于纳米尺度离子检测，避免多层组装的复杂性。
• MEMS传感器：一步法制备的集成界面适于MEMS工艺中的微型化电极制造，提高芯片级传感器的稳定性。
• 具身智能传感器：高稳定低漂移的离子选择性电极可作为机器人或智能系统的可靠化学传感前端。