g-C₃N₄涂层聚酰亚胺

二次电子产额降38%

在聚酰亚胺表面磁控溅射沉积g-C₃N₄涂层，利用涂层中sp²杂化的C=N键有效抑制二次电子发射，为航天器介质充放电问题提供新方案。

Xin, Qi · Jiayu, Du · Di, Wu · 彭卫平 · 胡国明 · 马彦昭

Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2025

参数信息

二次电子产额降低幅度

38 %

最佳涂层厚度

500 nm

涂层厚度范围

100–500 nm

技术优势

二次电子产额大幅降低

500 nm涂层使SEY降低约38%，500 nm涂层SEY最低。

抑制机制明确

XPS证实涂层中sp²杂化的C=N键是抑制SEE的主要因素。

工艺简单可靠

通过磁控溅射一步沉积，厚度可控。

表面粗糙度可调

AFM显示涂层厚度增加导致表面粗糙度提高，有助于降低SEY。

应用场景

• 航天器介质材料：降低航天器介质表面充电风险，避免放电损坏。
• 真空电子器件：抑制真空电子器件中的二次电子倍增效应。
• 抗静电涂层：通过降低表面SEY减少静电积累，起到抗静电作用。
• 柔性电子基底：在柔性PI基底上抑制二次电子发射，保护器件。