硒掺杂V₃S₄量子点

倍率超稳

硒取代扩大层间距并引入阴离子缺陷，量子点与氮掺杂碳紧密耦合，大幅提升钠离子扩散与存储稳定性。

Liu, Baolin · 李怡招 · Zhang, Hongyu · Song, Huijun · Chun, Yuan · Lu, Zhenjiang · 胡金豆 · 谢晶 · 曹亚丽

Small 2023

具体参数

比容量

{'zh': '504', 'en': '504'} mAh g⁻¹

比容量

{'zh': '447', 'en': '447'} mAh g⁻¹

能量密度

{'zh': '144', 'en': '144'} Wh kg⁻¹

容量保持率

{'zh': '71', 'en': '71'} %

技术优势

层间拓宽，钠离子跑得快

硒取代扩大了V₃S₄的层间距，并引入阴离子缺陷，为钠离子提供更多扩散通道和存储活性位点。

碳层包覆，结构不散架

量子点被导电碳框架紧密包裹，既提高了电极电导率，又避免了充放电过程中的团聚和结构退化。

超高倍率下仍能保住容量

在10 A g⁻¹的高电流密度下循环1000次后仍有504 mAh g⁻¹的比容量，证明材料具备优异的倍率性能和循环稳定性。

应用场景

• 钠离子电池负极：用硒原子撑开层间距并引入缺陷，让钠离子电池负极在高倍率下不衰减，替代传统硬碳短板。
• 高倍率储能：量子点尺寸缩短离子路径，碳层保障电子传输，使电极在10 A g⁻¹下仍能稳定循环。
• 柔性储能器件：碳框架提供机械柔性，量子点活性材料可涂覆于柔性基底，用于可弯曲钠离子电池。