拓扑绝缘体突触

超低功耗人工突触

利用(BiSb)2Te3的高自旋轨道转矩效率，该器件在比传统重金属低1-2个数量级的电流密度下实现神经形态功能。

Guo, Xi · Zeng, Junwei · Jijun, Yun · 左亚路 · 于国强 · Wu, Hao · 席力 · Cui, Baoshan

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

具体参数

激活电流密度

{'zh': '1.8×10^5', 'en': ''} A/cm²

手写数字识别准确率

{'zh': '92.8', 'en': ''} %

技术优势

自旋霍尔角θ_SH = 1.11