p型Mo(S,Se)₂缓冲层

背面欧姆接触

原位掺杂V/Nb/Ta使Mo(S,Se)₂从弱n型转为p型，功函数和空穴浓度提升，与吸收层形成下弯能带，促进空穴提取并减少界面复合。

Fu, Junjie · Zhang, Afei · 寇东星 · Xiao, Zewen · Wenhui, Zhou · 周正基 · 袁胜杰 · 齐亚芳 · Zhi, Zheng · 武四新

Chemical Engineering Journal 2023

具体参数

器件效率从

10.82 %

技术优势

原位掺杂策略不同于以往复杂或不稳定的方法