硅纳米尖端CMOS光敏架构

近红外灵敏度高

利用表面波纳米积累效应实现弱近红外辐射的高灵敏检测，并可集成于标准CMOS工艺。

Liu, Taige · Shi, Jiashuo · Shenghua, Duan · Zhe, Wang · 张新宇

Applied Physics Letters 2023

具体参数

归一化探测率稳定值

{'zh': '~3.25×10¹⁰', 'en': '~3.25×10¹⁰'} cm·Hz¹/²·W⁻¹

最大归一化探测率

{'zh': '~4.86×10¹¹', 'en': '~4.86×10¹¹'} cm·Hz¹/²·W⁻¹

技术优势

成像灰度与入射辐射水平相关