抑制空间电荷提升击穿
通过界面等离子体处理引入含氧基团，抑制界面电荷积累，提升绝缘可靠性。
Li, Zhonglei · Zhaorui, Luo · Zheng, Zhong · Haosen, Du · Zhu, Xi · 方志 · Du, Boxue
Langmuir 2025
7分钟等离子体处理后，界面微缺陷减少，异质电荷积累降低66%，有效减缓电场畸变。
处理后的界面击穿强度提高8.2%，直接提升绝缘耐受能力。
引入含氧基团使陷阱深度从1.06 eV增加到1.15 eV，增强对电荷的束缚，阻碍异质电荷迁移。