高熵铋层压电陶瓷

750 °C下高电阻率

高熵策略在保持高居里温度的同时大幅提升压电性能，并引入非晶缺陷诱导额外极化。

Wu, Jie · Xingshuai, Ma · 祁核 · Huo, Chuanrui · Liang, Chen · 力好 · 邓世清 · 樊龙龙 · 陈军

Advanced Materials 2025

具体参数

直流电阻率

1.0 × 10^6 Ω cm

技术优势

创纪录的优值（d33* × TC）

高居里温度