光腐蚀抑制 · 活性飙升
通过阶梯式水热组装构建Z型异质结，在抑制Cu₂O光腐蚀的同时将降解速率提升16倍以上，实现活性与稳定性的双重突破。
Bingyu, Zhang · Keying, Zhu · Nan, Wang · 陈圣文 · 孙志国 · Wang, Jifen
Materials Science in Semiconductor Processing 2026
Z型电荷转移使e⁻留在Cu₂O导带上维持强还原性，h⁺留在In₂S₃价带上维持强氧化性，从而大幅提升反应速率。
电荷被快速分离至不同组分，抑制了Cu₂O中的有害空穴积累，从机制上避免了Cu₂O的光腐蚀。
通过阶梯式水热策略，In₂S₃纳米结构均匀锚定在Cu₂O八面体上，形成紧密的p‑n结界面。