紫外光照下阈值电压负漂
在紫外光照射和反偏应力下，器件因空穴被Si₃N₄/AlGaN界面的深能级边界陷阱俘获而发生难以恢复的退化，揭示了泄漏电流增大的机理。
Chen, Yilin · 朱青 · 祝杰杰 · 宓珉瀚 · 张孟 · Zhou, Yuwei · 赵子越 · 马晓华 · Hao, Yue
Science China Information Sciences 2023
在暗态或蓝光（450 nm）条件下泄漏电流不增大，只有紫外光（375 nm）照射时才发生显著退化，有助于评估特定场景风险。
空穴在栅压吸引下向栅极运动，被Si₃N₄/AlGaN界面处的深能级边界陷阱俘获，导致阈值电压负漂且难以恢复；仿真表明陷阱电荷显著增强了Si₃N₄中的电场。
退化后器件的泄漏电流符合Fowler-Nordheim隧穿模型，且高能空穴在栅极边缘靠近漏极侧产生新缺陷，为失效分析提供了物理依据。