三维RRAM TRNG

免校准高吞吐

利用三维RRAM单元电阻状态的固有随机涨落作为熵源,配合环形振荡器放大,无需启动电路与校准电路,在宽温度范围内可靠产生真随机数。

Li, Xiaoran · Wang, Yiming · Yang, Yiming · Shidong, Lv · 罗庆 · Wang, Xinghua · 许晓欣 · Lei, Dengyun · 张锋

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

最大吞吐量
1 Gb/s

技术优势

无需校准

熵源为RRAM电阻状态的固有涨落,无需调整偏置或补偿工艺偏差,简化电路并提高可靠性。

吞吐量高

最高吞吐量达1 Gb/s,满足物联网应用对随机数生成速率的需求。

应用场景