低矫顽电压高耐久
用W电极替换TiN电极并在退火后形成TiNOx薄层，同时降低漏电流、提高击穿场强并促进正交相形成，使该5 nm HZO铁电隧道结在低矫顽电压下实现超高耐久性，更适合神经形态计算中的频繁权重更新。
Yefan, Zhang · Xiaopeng, Luo · Long, Xiao · 杨鹏 · Shihao, Yu · 75446051 · Zihao, Hou · 吴伟 · 刘森 · Li, Zhiwei · Sun, Yi · 李清江
Applied Physics Letters 2025
W 电极退火形成 TiNOx 薄层，降低漏电流并提高击穿电压，从而提升器件耐久性。
W 电极促进正交相形成、抑制四方相，降低矫顽电压，有利于低功耗操作。
在低 Vc 和高耐久性同时，仍保持 2Pr = 41 μC/cm² 的双剩余极化，有利于存储窗口。