EuAgSb单晶

低温反铁磁半金属

高质量的EuAgSb单晶，其反铁磁转变温度为6.8 K，并在低温下展现出由拓扑霍尔效应和异常霍尔效应叠加导致的独特霍尔电阻率异常，为研究磁性拓扑半金属提供了候选材料。

Huxin, Yin · He, Miao · Qin, Yongliang · Feng, Qiyuan · 曹亮 · 高文帅 · Xu, Hai · 凌浪生 · 童伟 · 张宏伟 · 阚绪材 · 韩玉岩 · 皮立

Journal of Alloys and Compounds 2025

具体参数

轴方向完全自旋极化需磁场高于

5.0 T

技术优势

反铁磁转变温度6.8 K

9 T时两个磁场方向均呈现明显负磁阻