高应变记忆低超调
通过氧空位定向排列增强非对称畴翻转，实现应变记忆的放大与超调的抑制，为铁电形状记忆陶瓷提供新路径。
Haoyu, Gu · Shuo, Wang · Siqing, He · Xiang, Su · Yang, Yule L. · Hu, Zhao · 翟崇朴 · Shao, Shubao · Xu, Ming Long
Ceramics International 2025
氧空位形成的定向排列缺陷偶极子增强了非对称畴翻转，从而放大了应变记忆。
氧空位的局部钉扎效应选择性地限制了非记忆应变，从而降低了超调。
极化和时效处理即可实现性能优化，无需额外复杂工艺。