催化硅纳米线沟道

关态电流低至1 pA

基于有序阵列催化硅纳米线沟道的全栅场效应晶体管，首次实现与先进EUV光刻GAA-FET相当的高性能，无需EBL/EUV光刻。

Qian, Wentao · Liang, Lei · 王军转 · Yu, Linwei

Nano-Micro Letters 2025

参数信息

亚阈值摆幅

66 mV dec

Nanowire diameter

2.4 nm

线间距

90 nm

技术优势

开态/关态电流比 10^7