应变调控MoS₂单层

蚀刻图案按应变可控

通过控制局部拉伸应变,可在同一CVD MoS₂单层内定向获得三角蚀刻坑或均匀取向的六方蚀刻通道。

Luo, Birong · Rongnan, Wang · Tianxiang, Zhao · Linfeng, Li · Qi, Chen · Pengcheng, Wang · Wang, Junjia · Qing, Han · Ying, Zhang · Zhang, Bo · 李德军

Small Methods 2024

参数信息

low tensile strain
0.33 %
high tensile strain
0.55 %
Heterogeneous strain
0.55 %