残余应力降半
在保持共晶硅网络的同时促进纳米硅析出和位错增殖，实现应力均匀化。
郜志英 · Hechuan, Song · 张勃洋 · 张清东
Materials Science & Engineering A: Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing 2026
平均残余应力降低50.9%，同时由于位错热激活、磁致塑性效应和纳米硅析出的协同作用，应力均匀性提高。
屈服强度、极限抗拉强度和延伸率沿构建方向提高，主要源于析出强化和位错强化。
处理保留了共晶硅网络，同时促进纳米硅析出和位错增殖，有助于维持结构完整性。