堆垛层错SiC晶须

拓宽吸收频带

由铁催化在SiBCN中生长的SiC晶须，利用高密度堆垛层错在低结晶度下实现强介电损耗，解决阻抗匹配与强损耗的矛盾。

Yuang, Li · 朱颖丽 · Gangtao, Luo · 陈平安 · 乔梦柯 · Chen, Fu · Li X.

Journal of Materials Science and Technology 2026

具体参数

有效吸收带宽

6.36 GHz

技术优势

频带更宽

有效吸收带宽从4.82 GHz提升到6.36 GHz，厚度2.1 mm，为聚合物衍生陶瓷中最高值。

损耗不靠结晶

高密度堆垛层错作为极化中心增强介电损耗，避免高结晶相导致的阻抗失配。

一步法生长

SiC晶须在聚硼硅氮烷热解过程中通过铁催化原位生长，无需额外步骤。

应用场景

• 隐身涂层：拓宽吸收频带，减少涂层厚度和重量。
• 电磁屏蔽：在宽频范围内提供强电磁吸收，降低反射。
• 雷达吸波材料：实现宽频雷达波吸收，提升隐身性能。