Al:HfO₂铁电MoS₂晶体管

非挥发电场全耗尽

Al掺杂HfO₂纳米薄膜兼具钝化与电荷散射抑制，并通过可切换剩余极化产生非挥发性静电场，使单层MoS₂沟道实现全耗尽。

孟国栋 · She, Junyi · Yu, Hao · 李强 · 刘星 · Yin, Zongyou · 成永红

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

参数信息

探测率

2.05 × 10¹¹ Jones

栅介质层厚度

10.2 nm

技术优势

光电流开关比 > 10⁴ nm⁻¹

单层 MoS₂（CVD 生长）