界面强度提升7倍
针对PZT压电陶瓷与银电极界面结合薄弱的问题，通过原位引入CuO纳米颗粒形成强键合过渡层，将断裂能提升最高七倍且不牺牲电学导通。
李桂景 · 王宝森 · Feng, Wenjie · Xiaofei, Wang · Wei, Xian
Journal of Alloys and Compounds 2024
CuO与Ag层的高结合强度及应力集中有效缓解，使临界断裂能最多提升七倍。
引入CuO后，PZT与Ag之间的电子传输没有下降，电学性能得以保持。
CuO纳米颗粒有效缓解了界面应力集中，是力学性能提升的主要原因之一。
裂纹偏转和裂纹钉扎效应共同促进了界面断裂韧性的提高。