抗辐射高压
针对高压p-GaN栅HEMT的辐照损伤机制，提出通过电场调控抑制栅极退化的方法。
Wang, Zhao · Xin, Zhou · Zhonghua, Wu · Chen, Chen · 周琦 · 乔明 · Li, Zhaoji · 张波
2023
开态偏置下损伤集中在反向偏置的肖特基结附近，而关态偏置下损伤位于反向偏置的p-i-n结，可通过调整电场分布来抑制特定位置的退化。
关态偏置下在p-i-n结引入的损伤随时间可恢复，降低了长期辐照对器件的永久性影响；但肖特基结处的损伤可能是永久性的，需重点防护。