Ga₂O₃/MoS₂范德华异质结构

光电神经形态逻辑存储

一种兼具高整流比与高开关比的光电器件,能同时完成感、存、算,并可模拟神经突触功能。

Yao, Zhang · 刘炜 · Kai, Liu · Runzhi, Wang · Jiaqi, Yu · Liu, Zeyu · Junjie, Gao · Yujia, Liu · Yingli, Zhang · 徐华 · 甘雪涛

Advanced Functional Materials 2024

参数信息

整流比
≈10⁵
开/关比
≈10⁸
探测率
1.34×10⁹ Jones
响应度
28.92 mA/W

技术优势

同时感存算

同一器件既能探测光信号,又能以非易失方式存储信息,还能执行“与”逻辑门操作。

光控突触可塑

器件表现出短时和长时突触可塑性,并利用光、电信号的耦合实现巴甫洛夫联想学习。

整流和开关比双高

整流比约10⁵,开关比约10⁸,意味着器件在黑暗和光照下的区分度极高,且单向导电性优异。

应用场景