Ta₂Se₈I 电荷密度波

边界态稳定至相变温度

在拓扑材料 Ta₂Se₈I 的单层台阶边缘发现了与电荷密度波矢匹配的带隙内边界模式，该模式在电荷有序温度下依然存在，并对现有的轴子绝缘体解释提出了挑战。

Litskevich, Maksim · Hossain, Md Shafayat · Zhang, Songbo · Zi-Jia, Cheng · Guin, Satya N. · Nitesh, Kumar · Chandra, Shekhar · Zhiwei, Wang · 李永凯 · Chang, Guoqing · Yin, Jiaxin · 张琦 · Cheng, Guangming · Cochran, Tyler A. · Shumiya, Nana · Jiang, Yuxiao · Yang, Xian P. · Multer, Daniel · Liu, Xiaoxiong · Yao, N. · 姚裕贵 · Felser, Claudia · Neupert, Titus · Hasan, M. Zahid

Nature Physics 2024

技术优势

带隙内边界模式持续至电荷有序温度

沿边缘调制与电荷密度波矢匹配

单层台阶边缘